BSZ097N10NS5 دیتاشیت

BSZ097N10NS5

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BSZ097N10NS5
حجم فایل 50.987 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت BSZ097N10NS5

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies BSZ097N10NS5
  • Power Dissipation (Pd): 2.1W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Continuous Drain Current (Id): 40A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.8V@36uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 13mΩ@6V,5A
  • Package: TSDSON-8(3.3x3.3)
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه